Nou die Brattain, filmpje AT&T, brengt het nodige aan informatie en vragen mee. Zeer nuttig.
We "studeren" rustig verder.

Peter

Die afwijking kan bij het meten met kleine weerstanden misschien komen door de Ampmeter die ook in de kring staat. Die meet ik op een weerstand van 2,8Ohm. En dat telt door bij 10 Ohm en 47 Ohm enzo.

Heel goed opgemerkt. In sommige gevallen kan de meetfout die wordt veroorzaakt door de eigen weerstand van het meetinstrument de meting doen verschillen van de theoretische berekening. In dit geval de weerstand van de shunt van de ampèremeter omdat je met relatief kleine weerstanden bezig bent.
Het omgekeerde gebeurt als je spanningen gaat meten in een circuit met heel hoogohmige weerstanden. Dan speelt de eigen weerstand van de voltmeter een rol.

Ik meet in elk geval de Spanning met de stroom erop. Als ik de zaak doorreken dan kom ik met die correctie van de Ampmeter wel een heel stuk in de buurt.

De open klemspanning van een batterij is meestal behoorlijk hoger dan wanneer de batterij wordt belast. Dit wordt veroorzaakt door de inwendige weerstand van de batterij, die je in serie moet denken met de batterijspanning. Over de inwendige weerstand vindt een spanningsval plaats.
Hier is dat dus niet aan de orde omdat je de spanning in belaste toestand hebt gemeten.

4,38 / 47 = 0,09319148936 A >>>>

X 1.000 is dan 93,19 mA (uit elkaar geschreven) en afgerond.

OK, Uit elkaar geschreven!

Doe dat dan ook de volgende keer met Ohm a.u.b.
Sorry voor de verwarring!
Groeten, Fons

X 1.000 is dan 93,19 mA (uit elkaar geschreven) en afgerond.

Ik had op de lagere school inderdaad lange tijd een onvoldoende voor taal. Met rekenen was het beter. Dan kon ik eigenlijk best goed.

Bekijk het net als ik. Je bent nooit te oud om te (blijven) leren.

Met respect voor je betrokkenheid sluit ik af. Mocht ik de I waarde in mijn hooghartigheid toch fout hebben? Was mij de oren en doe mij buigen in het stof.

Virtueel dan want het blijft tenslotte een forum in een digitale wereld.

Welterusten heren.

Die afwijking kan bij het meten met kleine weerstanden misschien komen door de Ampmeter die ook in de kring staat. Die meet ik op een weerstand van 2,8Ohm. En dat telt door bij 10 Ohm en 47 Ohm enzo.

Ik meet in elk geval de Spanning met de stroom erop. Als ik de zaak doorreken dan kom ik met die correctie van de Ampmeter wel een heel stuk in de buurt.

Ik ga in elk geval de komende dagen in die wetten van Kirchhoff duiken want van de spanning in zo'n kring snap ik niet alles en in elk geval nog niet voldoende.

Morgen ben ik met vrouw en 4 kinderen naar Kalkar tot na de Kerst, wat moet je anders ?, en kan ik even doorlezen. Hebben jullie ook even geen last van me.

En ben ik na de kerst weer aan het testen !

Voor ieder die dit verhaal van "Petertje FET in Transistorland" leest en volgt zou ik zeggen : een hele fijne kerst ...... En bedankt voor de support !

Inderdaad, Sorry!!!

Ben teveel docent Nederlands en verwacht dat mensen zelfstandige naamwoorden en getallen uit elkaar schrijven zoals het hoort. Ik zal voortaan beter opletten.
Blijft over die 9,2 mA die volgen mij uit dat rekensommetje moet komen.

Groeten, Fons

Ik weet niet of je echt lekker bezig bent.
Bij de parallelberekening van de weerstanden staan her en der de komma's verkeerd en bij de stroomwaarde ook.
Reken alles nog eens goed na en controleer met een rekenmachine.

Nee hoor, de berekeningen van de serie- en parallelweerstanden zijn goed. Je zal je wel vergissen in de 0 en de O van Ohm.

Probleem wat ik echter bij het meten tegenkom is dat de meetgegevens U = I x R voor geen meter kloppen. BV ik meet :

U = 4,34 ; R = (gegeven) 47Ohm dan verwacht ik I = 92 mA. Maar meet heel iets anders. Dus dat ben ik nu aan het bedenken.

Een hint:
In welke situatie is de spanning van U = 4.34V gemeten?
Liep er op dat moment wel of geen stroom?

Ik weet niet of je echt lekker bezig bent.
Bij de parallelberekening van de weerstanden staan her en der de komma's verkeerd en bij de stroomwaarde ook.
Reken alles nog eens goed na en controleer met een rekenmachine.
Groeten, Fons

Ik zag, en na enige lezen en denken overwon, om vervolgens verder te gaan :

R1 = 47Ohm ; R2 = 47Ohm ; RT >>>
Bij serieel 94Ohm maar bij parallel 23,5Ohm

R1 = 10Ohm ; R2 = 47Ohm ; RT >>>
Bij serieel 57 Ohm maar bij parallel 8,25Ohm

R1 = 10Ohm ; R2 =10Ohm ; RT >>>
Bij serieel 20Ohm maar bij parallel 5Ohm.

Als je met z'n 6 triljoen in een seconde door een leiding moet dan zou ik ook niet in de rij blijven staan wachten en misschien wel over een hoger hek proberen te klimmen.

Probleem wat ik echter bij het meten tegenkom is dat de meetgegevens U = I x R voor geen meter kloppen. BV ik meet :

U = 4,34 ; R = (gegeven) 47Ohm dan verwacht ik I = 92 mA. Maar meet heel iets anders. Dus dat ben ik nu aan het bedenken.

In elk geval, zijn we lekker bezig !

Peter

Wellicht weet je dit allemaal al maar zet toch deze twee links er even in. Gaat over Julius Edgar Lilienfeld ; die eigenlijk de eerst FET uitvond zonder er direct een bedoeling achter te hebben als ik het zo lees. Hij constateerde het effect en lag het vast in 4 patenten in Canada en de US. Dit tot ergernis van Shockley en zijn team die door de advocaten van Bells Lab op dit feit werden gewezen.

http://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld

Zijn eerste patent >>>>

Met een volledige beschrijving en tekeningen. Mooie tekeningen. Die maken we zo niet meer veel.

http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?FT=D&date=19270719&DB=...

Historische gezien hebben Shockley en zijn team de basis gelegd voor de semiconductor industrie maar Lilienfeld was ongeveer 25 jaar eerder al tot de ontdenkking / uitvinding gekomen om stroom te versterken door het gebruik van bepaalde materiaalcombinaties en een aangelegde spanning.

En dan is ie zijn tijd ver vooruit omdat de maarschappij er geen direct nut in zag. Doet me denken aan een 10-tal jaar geleden waarin ik dacht ? Wat moet ik aandelen, koop ik overigens nooit, van een bedrijf dat in communicatie- bandbreedtes doet zoals UPC ? Nou dat werd me dan duidelijk enige jaren gelden toen ik een IPhone ging gebruiken.

Peter

Die Maurice en jij zijn nog laat bezig als ik zo de tijden bekijk. Rond die tijd slaap ik allang.

Weer een heleboel input om eens op te studeren. Denk dat ik er nog wel even op bezig ben. Maar ben wel blij met je hulp. Ik ga nu verder denken over de schakeling van mijn testopstelling en dan de manier van meten.

Vervolgens heb ik die chemie denk ik nog nodig om de inkten te "Tunen". Eigenlijk komt het erop neer dat ik ze zo wil maken dat ze een halfgeleider gedrag heeft.

Dat dit in principe kan is al bewezen en wordt aan gewerkt. Maar dit zit allemaal op Labschaal en niet op Industriele verwerkbaarheid. Zie ook de eerste reactie van Bakaptua.
Een dergelijke drukpatroon maak ik ook. Gaat nu om de beoordeling van de stof waarop de gate plaatst is. Punt is dat ik vermoed dat ik door spanning op de gate te zetten niet de stroom SD tot stand breng maar dat dan GD gaat lopen.

Of dit zo is wil ik nu als eerste inzichtelijk maken. Hierover ga ik vandaag maar weer eens denken.
Naast allerlei experimenten die ik wil doen om stroom in kringen beter te begrijpen.
Maar we komen vooruit. Dat is belangrijk.

Verder heb ik ook veel aan de informatie op de website van Jo Bleijlevens die met zijn Radio-Museum collectie ook veel schrijft en uitlegt over componenten en de ontwikkeling van de electronica.

Groeten en bedankt maar weer,

Peter

Dan begrijp ik in elk geval het verband tussen U,I en R.

Bij mij gaat het dus om het "in geleiding komen". Dan neemt dus R af en in gelijke verhouding neemt dan I toe denk ik.

En dat dan door sturing op R middels een verandering van I of S op het materiaal dat die weerstand bepaalt. In het geval van Silicium is dit dan dus de kniespanning van 0,6 V.

Maar hier begin ik opnieuw over mijn oorspronkelijke vraag. Ik laat die nog maar even zitten.

Binnen het drukken van electronica wordt er overigens al veel met OLEDS gewerkt. Dit zijn LEDs die gedrukt worden op basis van Organische verbindingen.

Peter

Deze bedoelde ik. Ik had al een eind getyped en als ik dan de tab verlaat om een link te zoeken en terugkom hier is vaak mijn tekst weer weg. ( ipad 1)

http://www.youtube.com/watch?v=WiQvGRjrLnU

Je kan met een batterij meters, een scope en voeding en generator een eind komen. Maar het apparaat wat er speciaal voor is uitgevonden heet een curve tracer, bv de Tektronix 576 of 577 ( schrik niet van de prijs van zelfs > 25 jaar oude versies, en vooral de adapters, hoewel je die niet nodig hebt, je kan beter je eigen adapter maken.)

Op de site van AT&T is een film archief. Daar staan wat films van Bell labs over de transistor. Bell labs was de uitvinder van de transistor. Er staat oa een film op met een universiteit college wat toen gegeven werd door een en de uitvinders zelf als gast docent.

Heel interessant, weet alleen niet of je het nu al kan volgen.

Er is ook een film site van een zekere Jerry, een vrouw die naast automotoren en flipperkasten opknappen ook in haar eigen thuis lab zelf transistors en ICs heeft gemaakt ( en voor dat laatste wel speciaal een electronen microscoop voor heeft gekocht) heel leuke leerzame filmpjes.

Maar hoe fanatiek en intelligent je ook zou zijn, zelf torren ontwikkelen, op een andere manier incl productie proces is een hels karwei waar maar weinig mensen toe in staat zijn. Ik weet akelig goed hoe een transistor werkt, van dingen als impedanties, paracitaire eigenschappen, tempcos, diodeovergangen, bandgaps, avallance effecten, h parameters, Ft, ebers-moll, en nog veel meer dingen waar jij nog nooit van gehoord hebt mbt torren.
Ik heb een enorme verzameling meetaaparatuur, van tortesters tot curvetracers, ik heb zelf een curvetracer gebouwd.

Maar ik zou nog niet eens weten waar te beginnen met zelf een tor te maken, niet eens op de klassieke manier. Je hebt een materiaal nodig met de eigenschappen van germanium of silicium. ( in het bell labs filmpje beginnen ze daarmee). Je moet een manier vinden dat materiaal op de juiste manier en hoeveelheid te vervuilen, je zult toch een junctie moeten maken. Maar jij weet net een klein beetje van de populaire ( niet echt juiste) schoolboek theorie van de tor, dat ligt nog heel ver af van hoe het ding echt werkt.

Begin met The art of ekectronics van Hoorowitch. Dan heb je in ieder geval een goede basis. Als je iedere dag een paar paginas echt begrijpend leest heb je over een paar maanden een redelijke basis ( boek is 1000 paginas basis electronica maar je hebt niet alles nodig. De eerste 2 a 300 blz is waarschijnlijk genoeg. Daarna download je een gratis versie van Analog SEEKrets, dat gaat nog een stap of wat verder en lees je wat boeken/werken/filmpjes van Bob Pease. Ook de conceptreeks van Tektronix over curvtracen ( eigenlijk over meten aan torren) is een aanrader. Ook gratis te downloaden ( google, ik kan hierop niet linken) Daarna heb je een redelijke basiskennis.
Dan een cursus chemie en het zou moeten lukken

Kniespanning, zie je onder in de grafiek, daar waar de diode in geleiding komt.
En LED is een licht gevende diode.
Onder die spanning loopt er geen stroom (nauwelijks) ieder geval .

Nu vind je die kniespanning ook bij transistoren, meestal zo om de 0,6V.

Kom ik nog even terug op de LED-vraag van vorige week.
Ik heb eea gelezen en ben dat nog aan het doen. Volgens mij werkt het zo.
De LED kan 3,5V hebben en geen 6V ; de stroom in de kring moet 20mA zijn om LED te laten branden. De spanning is 6V en moet naar 3,5V dus een spanningsval door de weerstand van het verschil = 2,5V. Dan zou ik zeggen :

V = I x R met
V = 2,5 ; I = 20mA = 0,02 A ; R te berekenen

2,5 = 0,02 x R >>> 2,5 / 0,02 = 125 Ohm

De batterij levert 6V ; de weerstand verlaagt de spanning door 125 Ohm met 2,5 V naar 3,5 V die de LED max kan hebben om bij 20mA te branden maar niet kapot te gaan.

Ik heb het helemaal zo maar even opgeschreven. Ik hoor graag of het wel of niet goed beredeneert is en zo niet waarom niet en hoe dan wel. Als het klopt ga ik deze simpele schakeling opzetten en eea nameten. Heb ik morgen weer wat te doen naast een heleboel andere testen en experimenten.

Uitiendelijk wil ik een testopstelling maken om werking te zien van halfgeleiders / transistoren.

Nog een vraag ; wat bedoel je met een kniespanning voor de LED van bv 2,0V ?

Peter