<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?><rss version="2.0" xmlns:content="http://purl.org/rss/1.0/modules/content/" xmlns:dc="http://purl.org/dc/elements/1.1/">
<channel>
<title>Nederlands Transistorforum - Testen powerfet</title>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/</link>
<description>Een forum voor transistorgerelateerde zaken</description>
<language>nl</language>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Jazeker, zie je mail.</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13587</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13587</guid>
<pubDate>Fri, 15 Feb 2013 16:35:15 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>knelske</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<blockquote><p>1) In mijn ervaring is de sluiting bij power-FET's meestal tussen Source en Drain, en blijft de gate grotendeels ge-isoleerd. Verder sluit ik me helemaal bij de meetmethode aan, met nog de opmerking dat als de gate eenmaal op spanning is geweest,2) de FET nog wel een tijdje in geleiding kan blijven staan totdat je de gate met de source verbindt.</p>
</blockquote><p>beste Maarten,</p>
<p>1)sluiting enkel tussen source-drain komt idd ook voor, veel hangt af van de schakeling eromheen en de grootte (energieinhoud van de primaire elco) maar deze  mogelijkheid wordt in stap 2 hoedanook duidelijk. TS geeft over de schakeling geen details.</p>
<p>2)juist, en daarom wordt in elk van de drie voorgestelde meetstappen onzekerheid over de ladingstoestand van de gate vermeden!</p>
<p>groeten</p>
<p>Kris</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13584</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13584</guid>
<pubDate>Fri, 15 Feb 2013 13:46:46 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>kris</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Heb je mijn mail gekregen?</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13583</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13583</guid>
<pubDate>Fri, 15 Feb 2013 12:51:27 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>reint</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>In mijn ervaring is de sluiting bij power-FET's meestal tussen Source en Drain, en blijft de gate grotendeels ge-isoleerd. Verder sluit ik me helemaal bij de meetmethode aan, met nog de opmerking dat als de gate eenmaal op spanning is geweest, de FET nog wel een tijdje in geleiding kan blijven staan totdat je de gate met de source verbindt.</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13579</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13579</guid>
<pubDate>Fri, 15 Feb 2013 11:31:34 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>Maarten Bakker</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Kijk daar heb je wat aan.<br />
Henk</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13577</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13577</guid>
<pubDate>Fri, 15 Feb 2013 10:38:34 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>Doeve</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<blockquote><p>Reint; Pas op met meten aan een powerfet. Sommige sneuvelen met een universeelmeter meting. </p>
</blockquote><blockquote><p>Gr. Knelske</p>
</blockquote><p>Hoe je dat doet is me een raadsel.</p>
<p>En je moet er uiteraard niet mee op je mouw wrijven, maar bij normale behandeling zullen statische ladingen ze niet beschadigen.</p>
<p>Vraag van TS was eigenlijk : hoe meet je een powerfet.</p>
<p>Het is een enhancement type, dus.</p>
<p>1) meten Ohms tussen source en gate; moet oneindig zijn. Let op de polariteit van de meter, in de omgekeerde zin zal je dikwijls wel geleiding meten door aanwezigheid protectiediode, hangt af van type fet.<br />
(Bij een defecte powerfet is er meestal doorslag tussen source en gate dus dan gaat het hier al mis)</p>
<p>2) Gate met source verbinden, meten tussen Source en Drain, moet oneindig zijn.(invers kan je weer op een diode stuiten)</p>
<p>3) Gate op +5V..12V zetten tov source.  meten tussen source en drain moet lage weerstand opleveren (afhankelijk van het type fet, meestal enkele ohms)</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13576</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13576</guid>
<pubDate>Fri, 15 Feb 2013 10:25:09 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>kris</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Reint;<br />
Mijn gevoel was aardig juist.<br />
Door de de fabrikant wordt uitdrukkelijk gewezen op de gevoeligheid voor statische lading.<br />
Als je alles geprobeerd hebt, en je twijfelt aan de FET dan heb ik een geteste met een ander nummer nl. 2SK2699. <br />
Is iets minder zwaar maar zal onder normaal gebruik goed moeten werken.<br />
Mail jouw adres en ik stuur hem voor 1 euro (porto+brief) naar je toe.<br />
Gr.</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13567</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13567</guid>
<pubDate>Thu, 14 Feb 2013 19:11:20 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>knelske</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<blockquote><p>Hallo allemaal.<br />
Ik zou graag willen meten of een powerfet in een defecte voeding OK is. Er is geen sluiting tusse G,S en D.<br />
Rein</p>
</blockquote><p>Na reparatie altijd opstarten met een variac + gloeilamp (na de variac). Je heb dan de kans om te meten als de zaak niet correct werkt.</p>
<p>Soundman2</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13564</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13564</guid>
<pubDate>Thu, 14 Feb 2013 10:55:19 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>soundman2</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Het betreft een 2SK2917.</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13563</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13563</guid>
<pubDate>Thu, 14 Feb 2013 10:45:13 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>reint</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet (reply)</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Reint; Pas op met meten aan een powerfet. Sommige sneuvelen met een universeelmeter meting. <br />
Wat is het typenummer van de FET ? Meestal is de sturing niet correct.<br />
In eenvoudige voedingen is meestal een kleine elco de boosdoener, die de stuurschakeling (i.c. of transistoren)van spanning voorziet. Wordt vervolgd?<br />
Gr. Knelske</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13562</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13562</guid>
<pubDate>Thu, 14 Feb 2013 10:39:36 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>knelske</dc:creator>
</item>
<item>
<title>Testen powerfet</title>
<content:encoded><![CDATA[<p>Hallo allemaal.<br />
Ik zou graag willen meten of een powerfet in een defecte voeding OK is. Er is geen sluiting tusse G,S en D.<br />
Rein</p>
]]></content:encoded>
<link>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13561</link>
<guid>https://www.transistorforum.nl/forum/index.php?id=13561</guid>
<pubDate>Thu, 14 Feb 2013 10:31:57 +0000</pubDate>
<category>Toestel of techniek</category><dc:creator>reint</dc:creator>
</item>
</channel>
</rss>
