Ik heb nu enkele stuks FJP3305-D gekregen. Probleem opgelost dus.

Daar zou ik toch nog niet zo heel zeker van zijn, het probleem met schakeltorren (ook de "dikke" jongens) in lineaire toepassingen is het SOA (safe operating area) gebied.
De hoge spanning in combinatie met grotere stroomsterktes zorgen ervoor dat de elektronen op de randen van de emitters gaan lopen wat de dissipatie enorm beperkt en de boel in no time thermisch uit de hand loopt.
Zo geldt voor de jou genoemde FJP3305-D dat er bij een VCE van 350 V slechts ≈ 12 mA mag lopen!
Het is dus zaak de tijd dat er een hoge spanning over valt zo kort mogelijk te houden of te zorgen dat er geen stroom loopt tijdens die periode.
Ook schakelfets leiden aan dit zelfde euvel, al zijn er ook Power MOSFET's die speciaal voor lineaire toepassingen zijn gemaakt zoals b.v. de IXTH12N100L van IXYX, kan bij 350 V in Forward-Bias mode een factor 100!! meer aan. (mits goed gekoeld natuurlijk)
Data sheet vindt je hier: KLIK
Je hoeft er (online) ook niet je stoel voor uit te komen, maar wel flink dieper in de buidel te tasten.
m.vr.gr.
Anton van den Oever
ps, met een gate stopper van iets van 100 Ohm kan deze waarschijnlijk zonder verdere aanpassingen de transistor vervangen.

ahh, een emittorvolger. Wel, ook daar is Hfe belangrijk, hoe hoger die is , hoe beter de emittor "volgt" bij wijze van spreken en hoe minder de basis moet leveren. Nu is de gevraagde stroom zo klein en als Hfe niet kritisch is ( dus als de basis van voldoende stroom kan voorzien worden) dan heb je keuze te over. (zelfs een BU108 kan die taak aan)
Het SOA gebied is in deze toepassing dan ook niet echt belangrijk.