Kennis over Field Effect -meten aan de transistor (Toestel of techniek)

door SCTS01, 23-12-2012, 09:55 (4359 dagen geleden) @ Fred101

Hallo Fred,

Wellicht weet je dit allemaal al maar zet toch deze twee links er even in. Gaat over Julius Edgar Lilienfeld ; die eigenlijk de eerst FET uitvond zonder er direct een bedoeling achter te hebben als ik het zo lees. Hij constateerde het effect en lag het vast in 4 patenten in Canada en de US. Dit tot ergernis van Shockley en zijn team die door de advocaten van Bells Lab op dit feit werden gewezen.

http://en.wikipedia.org/wiki/Julius_Edgar_Lilienfeld

Zijn eerste patent >>>>

Met een volledige beschrijving en tekeningen. Mooie tekeningen. Die maken we zo niet meer veel.

http://worldwide.espacenet.com/publicationDetails/originalDocument?FT=D&date=19270719&DB=...

Historische gezien hebben Shockley en zijn team de basis gelegd voor de semiconductor industrie maar Lilienfeld was ongeveer 25 jaar eerder al tot de ontdenkking / uitvinding gekomen om stroom te versterken door het gebruik van bepaalde materiaalcombinaties en een aangelegde spanning.

En dan is ie zijn tijd ver vooruit omdat de maarschappij er geen direct nut in zag. Doet me denken aan een 10-tal jaar geleden waarin ik dacht ? Wat moet ik aandelen, koop ik overigens nooit, van een bedrijf dat in communicatie- bandbreedtes doet zoals UPC ? Nou dat werd me dan duidelijk enige jaren gelden toen ik een IPhone ging gebruiken.

Peter