Voeding (Toestel of techniek)

door Maarten Bakker , Haarlem/Delft, 21-08-2011, 14:06 (4845 dagen geleden) @ kris
Gewijzigd door Maarten Bakker, 21-08-2011, 14:09

Er staat nu een andere ontvanger, deze ligt nog op de stapel voor een vervolg.

Overigens kreeg ik een interessante mail van een terzake kundige met nog wat achtergronden over deze faalmodus van de FET. Ik geef de tekst in licht bewerkte vorm hieronder weer:

Wanneer de rds-on waarde van een power-MOS-FET te hoog geworden is komt dat bijna altijd door beschadiging door elektrostatische ontlading, misschien door latente beschadiging bij het productieproces van de ontvanger (onvoldoende ESD-beschermende maatregelen) of door beschadiging door statische ontladingen in het toestel. power MOS-FETs zijn intern vaak opgebouwd als een aantal parallel geschakelde kleinere FETs. Een of enkele daarvan kunnen sneuvelen door ESD, terwijl de rest blijft werken en de totale rds-on dus is toegenomen.

Onderschat dit NIET! Bij een producent van professionele camera's heb ik dat aan den lijve ondervonden in de tijd dat er nog geen ESD-maatregelen in de productie waren genomen. De klokaansturingen voor de drie beeldsensoren (RGB) gebeurde via MOSFETs. Soms werkte een pulsbord met één of twee sensoren aangesloten, maar niet met drie sensoren. De powerFET was dan niet goed (meer).

ESD-beschermende maatregelen nemen bij het vervangen (maar ook het opslaan van) powerFETS in MOS-uitvoering is een VEREISTE! Latente beschadigingen hoef je niet direct te merken, als er slechts één of twee parallelFETjes defect zijn kan het goedgaan maar de levensduur is drastisch korter.

Kortom ook een goede tip voor de reparateur. Bij mij liggen de meeste power-FET's (ongeacht of er intern maatregelen tegen statische ontladingen in zitten) gewoon los in de bakjes, dus het is tijd om daar verandering in aan te brengen.