Kennis over Field Effect -meten aan de transistor (Toestel of techniek)

door SCTS01, 23-12-2012, 08:53 (4153 dagen geleden) @ Fred101

Morge Fred,

Die Maurice en jij zijn nog laat bezig als ik zo de tijden bekijk. Rond die tijd slaap ik allang.

Weer een heleboel input om eens op te studeren. Denk dat ik er nog wel even op bezig ben. Maar ben wel blij met je hulp. Ik ga nu verder denken over de schakeling van mijn testopstelling en dan de manier van meten.

Vervolgens heb ik die chemie denk ik nog nodig om de inkten te "Tunen". Eigenlijk komt het erop neer dat ik ze zo wil maken dat ze een halfgeleider gedrag heeft.

Dat dit in principe kan is al bewezen en wordt aan gewerkt. Maar dit zit allemaal op Labschaal en niet op Industriele verwerkbaarheid. Zie ook de eerste reactie van Bakaptua.
Een dergelijke drukpatroon maak ik ook. Gaat nu om de beoordeling van de stof waarop de gate plaatst is. Punt is dat ik vermoed dat ik door spanning op de gate te zetten niet de stroom SD tot stand breng maar dat dan GD gaat lopen.

Of dit zo is wil ik nu als eerste inzichtelijk maken. Hierover ga ik vandaag maar weer eens denken.
Naast allerlei experimenten die ik wil doen om stroom in kringen beter te begrijpen.
Maar we komen vooruit. Dat is belangrijk.

Verder heb ik ook veel aan de informatie op de website van Jo Bleijlevens die met zijn Radio-Museum collectie ook veel schrijft en uitlegt over componenten en de ontwikkeling van de electronica.

Groeten en bedankt maar weer,

Peter